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HMOS ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter).

Als HMOS werden integrierte Schaltkreise hoher Packungsdichte in NMOS-Technik bezeichnet. Die Strukturgröße beträgt bei HMOS-Schaltkreisen 1,5  µm, bei NMOS-Schaltkreisen 6  µm.

Literatur

• K. Yu, et al.; HMOS-CMOS — A Low-Power High-Performance Technology; Solid-State Circuits, vol. 16, no. 5, p. 454, (1981).

Siehe auch

PMOS | CMOS | HCMOS.

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